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美光在近二十年研究后毅然放弃未来4F² DRAM技术
原标题: 美光在近二十年研究后毅然放弃未来4F² DRAM技术
📋总体概括
美光宣布放弃研发约二十年的4F² DRAM技术路线,转向依靠更先进制程工艺提升DRAM位元密度。这意味着业界长期探索的小型化存储单元方案在美光处宣告终结。美光判断,先进工艺在位元密度上带来的收益大于缩小存储单元尺寸,反映出DRAM微缩已进入新阶段:传统几何微缩的边际收益递减,工艺与架构协同成为新的竞争焦点,也预示DRAM行业技术路线或迎来分化。
⚡关键信息
- ▸美光正式终止未来4F² DRAM技术的后续研发,该技术已研究约二十年
- ▸美光认为更先进的制程工艺在DRAM位元密度上的收益超过更小的存储单元
- ▸4F²是比主流6F²更小的存储单元结构,曾是DRAM微缩的长期探索方向
- ▸此决定标志着DRAM小型化路线让位于先进工艺驱动的密度提升策略
🔥犀利点评
二十年投入一朝砍掉,不是豪赌而是止损。4F²单元带来的是密度上限,但代价是电容结构、读写扰动、良率控制全面恶化,三星和SK海力士同样卡在这堵墙上。美光选择押注EUV等先进制程叠加3D DRAM,本质是承认平面微缩经济性已死。问题在于:先进光刻机有多贵大家都清楚,把成本从单元转移给工艺,总账未必更好算。
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