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美光泼冷水:长鑫正在实施的4F2技术是死路一条 应该采用3D DRAM

驱动之家·2026/10/22 09:39:00🔗 原文

📋总体概括

美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在2026年度技术网络研讨会上宣称,历经二十多年研究,4F² DRAM架构不存在可行的微缩路径,相对6F²的密度优势被夸大,暗指长鑫正在推进的4F²技术是死路一条。美光将跳过4F²,坚持6F²并全力押注3D DRAM。而长鑫本月刚宣布2026年底前推出基于4F²架构的DDR5 RDIMM服务器内存,该消息曾引发SK海力士单日暴跌超10%、三星跌超7%。两大阵营在DRAM路线上的分歧公开化,存储竞争格局之争进入路线权争夺阶段。

⚡关键信息

  • ▸美光CTO Scott DeBoer称20多年研究证明4F² DRAM无可行微缩路径,密度优势是「神话」
  • ▸长鑫计划2026年底前推出基于4F²架构的DDR5 RDIMM服务器内存
  • ▸长鑫4F²消息曾引发存储股重挫:SK海力士单日跌超10%,三星跌超7%
  • ▸4F²将晶体管与电容垂直堆叠,理论上可缩减30%至40%芯片面积
  • ▸美光选择跳过4F²,坚持6F²并全力转向3D DRAM路线

🔥犀利点评

美光这话与其说是技术判断,不如说是护城河上的喊话。长鑫靠4F²有机会用成熟工艺逼近巨头密度,真成了,三巨头的资本壁垒就被撬开一角——所以「死路一条」说得太急了。当然4F²的良率和成本风险客观存在,长鑫2026年底的量产承诺才是检验真理的唯一标准。别听CTO布道,看年底的RDIMM。

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