全球首台！中微公司高选择性刻蚀设备付运：填补国内3D芯片制造空白

📋总体概括

中微公司10月22日宣布，全球首台Primo Domingo气相高选择性刻蚀设备已付运国内重要集成电路研发制造客户。该设备面向GAA、3D NAND、3D DRAM等三维器件工艺开发，实现大于700:1的SiGe/Si高选择比，填补了国内3D半导体制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。设备采用全对称腔体、集成气柜、双制冷双加热基座等设计保障均匀性与稳定性。中微刻蚀设备已覆盖65纳米至3纳米及更先进节点，此次交付标志其在下一代三维器件核心装备上取得突破，是国产半导体设备向尖端工艺挺进的重要一步。