供应链🔥8.0
全球首台！中微公司高选择性刻蚀设备付运：填补国内3D芯片制造空白
📋总体概括
10月22日，中微公司宣布其Primo Domingo气相高选择性刻蚀设备全球首台机付运国内重要集成电路客户。该设备面向GAA晶体管、3D NAND、3D DRAM等三维器件工艺开发，SiGe/Si选择比大于700:1，填补了国内3D芯片制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。随着芯片架构从平面走向三维，高选择性刻蚀成为决定先进器件能否量产的核心环节，中微设备覆盖65纳米至3纳米及更先进节点，国产替代再下一城。
⚡关键信息
- ▸中微公司10月22日宣布Primo Domingo气相高选择性刻蚀设备全球首台机付运国内重要集成电路研发制造客户
- ▸设备针对GAA、3D NAND、3D DRAM等下一代三维器件工艺开发，填补国内3D半导体关键刻蚀工艺自主化空白
- ▸Primo Domingo实现大于700:1的SiGe/Si高选择比，已在GAA和3D DRAM关键工艺实验室验证中展现优异性能
- ▸设备采用全对称腔体、集成气柜、双制冷双加热晶圆基座，保障纳米尺度精准去除材料且不损伤相邻结构
- ▸中微刻蚀设备已覆盖65纳米到3纳米及更先进节点
🔥犀利点评
刻蚀是三维时代最难绕开的坎：GAA和3D DRAM要求在纳米尺度精准「拆材料」而不伤邻层，此前这块几乎被AMAT、Lam锁死。700:1的SiGe/Si选择比若能量产复现，中微等于在国内先进逻辑和存储线上补上了最关键一块拼图。但首台付运离大规模验证还有距离，客户良率数据才是真考卷，别急着开香槟。
📰 相关资讯（与本文相关的其他资讯）
本文由本站自动聚合，以下为原始来源：前往 驱动之家 阅读全文 →