供应链🔥9.0
美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡
📋总体概括
美光在2026年度技术研讨会上预告G11 NAND闪存：堆叠超400层，采用晶圆对晶圆键合技术，存储密度约为现有276层G9的两倍，I/O速率最高提升1.5倍，数据传输能耗降低25%以上，计划2027年下半年产能爬坡。美光还跳过G10直接推进，并展示SLC GPU直连、类HBF带宽优化两款AI级数据中心NAND设计，后续还规划导入高迁移率材料。
⚡关键信息
- ▸美光预告G11 NAND堆叠超400层，跳过G10世代，计划2027H2产能爬坡
- ▸G11密度按面积计算约为现有276层G9 NAND的两倍，采用晶圆对晶圆键合技术
- ▸I/O速率最高提升1.5倍，数据传输能耗减少25%以上
- ▸推出两款AI级数据中心NAND：SLC GPU直连IOPS优化型与类HBF带宽优化型
- ▸G11之后计划导入高迁移率材料实现超密集单元架构并强化节能
🔥犀利点评
跳过G10直上400+层，美光这是被三星和SK海力士逼急了才这么激进。真正值得琢磨的不是层数——层数早就是数字游戏了——而是晶圆对晶圆键合和25%能耗下降，这直指AI存储的真实痛点：带宽上不去、电费下不来。类HBF产品更是明牌承认NAND要往内存化方向抢活。但2027H2爬坡意味着落地还有两年多，届时对手的路线图未必停在原地，纸面参数领先≠市场赢面。
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