美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 HBM 与边缘推理 vEIM

📋总体概括

美光在2026年度技术网络研讨会上展望DRAM、HBM、NAND与SSD的未来方向，其中最值得关注的是两种3D集成泛HBM内存：vHBM与vEIM，均计划于2028年与标准HBM5同期到来。vHBM将DRAM Die、Base Die和XPU逻辑主芯片垂直堆叠，缩短数据通信路径、提升带宽效率并降低能耗，且可与2.5D HBM共存；vEIM结构类似但瞄准端侧AI推理，初代产品目标为2TB/s带宽和低于1pJ/bit的能效，显示美光押注3D集成下一代内存。