美光认为 4F² DRAM 内存无可行扩展路径，1ε 晶圆键合、 ζÅ High NA EUV

📋总体概括

美光在2026年度技术网络研讨会上宣布，二十多年探索后4F² DRAM因复杂度和成本问题无规模化可行路径，正式押注3D DRAM作为未来方向。其路线图显示：第7代10nm级节点1δ已进入良率爬坡，可带来约25%代际密度提升并将用于HBM5、LPDDR等产品；1ε将引入晶圆键合；首个亚10nm级节点ζÅ导入High NA EUV光刻。相比之下，长鑫存储仍计划年内推出4F² & BV DDR5 RDIMM，三星据称已在首代亚10nm级DRAM上放弃4F²路线，行业技术分化明显。