三星电子、SK 海力士升级中国工厂，生产更先进闪存芯片

📋总体概括

据路透社援引知情人士消息，三星电子与SK海力士正在升级中国闪存工厂，计划生产200层以上的先进NAND芯片。三星拟将西安工厂改造为生产286层V9 NAND，目标今年12月实现月产5000片晶圆，2027年12月提升至4万片；SK海力士则计划把大连工厂从192层升级到240层以上。此前受美国设备出口管制影响，两家公司扩产受限并部分市场份额流失给长江存储，此番升级表明其在华业务布局出现松动。