消息称Groq正计划将3D堆叠式DRAM封装技术应用于下一代芯片

📋总体概括

据财联社报道，AI芯片公司Groq正计划在下一代芯片中引入三维堆叠式DRAM封装技术，用DRAM替代现有的SRAM。SRAM速度快但容量有限，DRAM虽速度稍慢却更适合做大容量设计，业界解读此举意在摆脱以SRAM为中心的架构限制，大幅提升芯片容量。3D封装通过垂直堆叠芯片而非平面排布，可缩小芯片表面积并提升能效，是兼顾容量与效率的折中方案。