消息称Groq正计划将3D堆叠式DRAM封装技术应用于下一代芯片

📋总体概括

据财联社报道，AI芯片公司Groq正计划在下一代芯片中采用3D堆叠式DRAM封装技术，用DRAM替代现有以SRAM为中心的设计。SRAM速度快但容量受限，DRAM速度较慢却更适合大容量芯片，3D堆叠通过将多颗芯片垂直封装，可减小表面积并提升能效。此举被业内解读为Groq试图突破SRAM架构的容量瓶颈，以更大片上内存提升推理芯片竞争力，是对现有AI芯片内存架构路线的一次重要转向。