产业观察🔥7.0
英伟达换思路！下一代Groq AI芯片放弃超大缓存：改用堆叠内存
📋总体概括
被英伟达实质性收购后的Groq传出架构转向信号：下一代AI芯片拟放弃其赖以成名的超大SRAM方案，改用基于TSV的3D堆叠DRAM（3DS方案），通过垂直堆叠内存裸片大幅提升存储密度与电力传输效率，应对超大规模AI模型的推理需求。这一转变意味着Groq正在主动放弃与主流AI芯片差异化竞争的核心筹码，向行业主流技术路线靠拢，其未来产品定位与竞争力值得关注。
⚡关键信息
- ▸Groq被曝将在下一代芯片中把SRAM替换为DRAM，转向3D堆叠内存方案
- ▸新方案名为3DS，核心是利用TSV技术在DRAM内部打穿数千个微型孔洞实现垂直互连
- ▸3D封装可将多个裸片垂直堆叠，在较小芯片面积下提升电力传输效率和存储容量
- ▸此前Groq以高速超大SRAM设计闻名，此举标志着其放弃差异化架构路线
- ▸转向堆叠内存意在应对超大规模AI模型的推理需求
🔥犀利点评
Groq当年靠超大SRAM高喊干掉内存墙，如今被英伟达收编后转头拥抱DRAM，说白了就是理想主义向现实缴械——SRAM再快，容量小、成本高，撑不起大模型推理的商业账。3D堆叠DRAM本质上是跟着HBM的思路走，等于放弃差异化投靠主流。被收购的初创公司丢掉立身技术，活下来的代价就是变得不那么特别。
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