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消息 NVIDIA 下代 Groq LPU 芯片转向 3D 堆叠 DRAM,放弃大 SRAM 方案

IT之家·2026/10/21 03:24:30🔗 原文

📋总体概括

据韩媒ZDNET Korea报道,NVIDIA旗下Groq的下一代LPU AI推理加速器芯片拟放弃现役的大容量SRAM缓存设计,转向基于TSV硅通孔工艺的3D堆叠DRAM方案。SRAM虽解码速度快,但容量小、制程升级密度收益有限,在大模型推理与芯片迭代上存在固有瓶颈。无独有偶,同样押注大SRAM路线的Cerebras此前也已预告CS-6将首次3D垂直集成DRAM,两大SRAM阵营同时掉头,显示堆叠DRAM正成为推理加速芯片的新共识路线。

⚡关键信息

  • ▸韩媒ZDNET Korea报道,NVIDIA下代Groq LPU有望采用基于TSV工艺的3D堆叠DRAM方案
  • ▸现役Groq LPU采用大容量SRAM缓存设计,优势是快速解码输出
  • ▸SRAM存在容量小、制程升级密度收益有限的问题,在大模型表现和芯片迭代上有固有局限
  • ▸同样采用大SRAM路线的Cerebras已预告CS-6将3D垂直集成DRAM
  • ▸大SRAM阵营集体转向堆叠DRAM,反映推理芯片存储方案正在换轨

🔥犀利点评

这则消息最值得玩味的是:SRAM派的两面旗帜同时倒戈。Groq当年靠超大SRAM打差异化解码速度,Cerebras靠晶圆级SRAM刷存在感,如今双双转向3D堆叠DRAM,等于承认SRAM路线在大模型时代彻底撞墙——密度跟不上模型体积,先进制程还越改越亏。HBM之后的堆叠DRAM推理方案,可能才是AI算力存储战的下一主战场。

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