消息称佳能计划到 2029 年将后端光刻机产能提升 50%

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据《日刊工业新闻》报道，佳能计划到2029年将面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前水平提升50%。佳能正开发用于先进封装的i线光刻设备，并推出分辨率0.8μm的大尺寸基板光刻机台，可处理510×515mm基板，具备高对准精度和大视场角。半导体设备事业部负责人三浦圣也表示，无掩膜直写方案暂不构成i线光刻机在RDL生产领域的直接竞争。此前佳能已于2025年8月时隔21年开设新光刻机工厂，瞄准非先进机台需求，显示其在先进封装设备领域持续加码。