供应链🔥8.0
三星展示业界首个400层以上V-NAND：高密度堆叠 功耗降低25%
📋总体概括
三星内存中国CTO凯文·尹在GMIF2026演讲中展示业界首个400层以上V-NAND（V10 BV-NAND），相比V9位密度提升58%、I/O速度提升33%、功耗降低25%，核心是存储单元与外围电路分开制造再垂直键合的先进键合技术。同时面向智能体AI时代，三星给出服务器端PM1763 PCIe Gen6 SSD（2026年Q4出样）与端侧zNAND-O方案：后者与MPU经UCIe封装互连，位密度为DRAM的10倍，模拟Kimi K2-1T模型时可将内存成本降至四分之一。
⚡关键信息
- ▸三星V10 BV-NAND为业界首个突破400层堆叠的NAND，位密度较V9提升58%，I/O速度提升33%，功耗降低25%
- ▸关键技术是先进键合：存储单元与外围电路分开制造后垂直贴合，实现高密度堆叠
- ▸主打性能的服务器SSD PM1763采用PCIe Gen6与V-NAND TLC并强化散热，计划2026年第四季度出样
- ▸端侧zNAND-O与MPU通过UCIe接口封装互连，位密度达DRAM的10倍，读取带宽与能效为普通NAND的7倍
- ▸模拟运行Kimi K2-1T模型时，zNAND-O架构在同等性能下把内存成本降至原来的四分之一，可容纳模型规模接近两倍
🔥犀利点评
400层V-NAND听着唬人，但真正有想象空间的是zNAND-O——三星在赌一件事：2030年万亿参数模型塞进手机时，DRAM堆权重这条老路必然成本爆炸，于是干脆造一个介于DRAM和NAND之间的新存储层级。位密度10倍于DRAM、成本砍到四分之一，这个账算得漂亮，但UCIe封装、读取带宽这些工程细节到量产还有大坑。键合堆叠则是对长江存储、SK海力士同类路线的正面回应，闪存军备竞赛进入拼工艺更拼架构的阶段了。
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