三星或为英伟达定制HBM4E基 die采用对手台积电代工

📋总体概括

三星历史上一直为自家HBM芯片自产基 dies，但据报道已同意英伟达要求，为其定制HBM4E芯片NVHBM采用台积电3nm工艺制造基 die，这打破了三星一贯的turnkey一站式代工模式。此举意味着三星在HBM4E世代首次在自家存储产品中引入宿敌台积电的核心工艺，凸显英伟达对基 die性能的极致要求，也折射出三星先进逻辑工艺与台积电的差距。