三星据悉将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

📋总体概括

据界面报道，三星电子计划采用台积电3纳米工艺，为英伟达生产下一代定制HBM基底裸片。英伟达为确保性能一致性，要求三星、SK海力士和美光三家HBM供应商在NVHBM基底裸片上统一采用台积电3纳米工艺。此举意味着三星首次在HBM制造环节与台积电合作，也显示英伟达对AI芯片供应链性能一致性的掌控力度进一步加强。