供应链🔥9.0
英伟达定制HBM计划促成罕见合作 三星与台积电联手开发3纳米基底芯片
📋总体概括
英伟达为下一代AI加速器推动定制HBM方案NVHBM，罕见促成宿敌三星与台积电联手，共同开发3纳米工艺基底芯片。美光与SK海力士也被纳入计划，各家需统一采用台积电3纳米代工基底芯片、1c第六代DRAM制程做核心存储芯片，以统一产品规范、减少质量验证步骤。英伟达称NVHBM较标准HBM4E带宽提升最高30%、功耗降低最多15%，预计用于Feyman架构GPU。三星同时评估自有代工产能以防台积电产能不足。
⚡关键信息
- ▸英伟达定制NVHBM促使三星与台积电这对长期竞争对手罕见联手开发3纳米基底芯片
- ▸美光、SK海力士同被纳入计划，基底芯片统一由台积电3纳米代工，核心Die采用1c工艺
- ▸NVHBM相较标准HBM4E预计带宽高出最高30%，功耗最多降低15%
- ▸统一制造流程可让英伟达免去对每家供应商独立验证，节省时间与工程资源
- ▸三星仍评估自家代工产能以备台积电产能不足，标准HBM研发继续自研自产
🔥犀利点评
这事的本质不是技术合作，是英伟达用客户地位改写代工格局：让三星亲手把订单送进台积电，只为了自己省掉验证工序。三大存储厂被迫在同一工艺节点上内卷，议价权进一步向黄仁勋集中。三星留一手自家代工产能，恰恰说明它清楚这 unprecedented 的合作有多身不由己。AI产业链的权力倒挂已经到了连台积电和三星的世仇都要让路的程度。
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