三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片

📋总体概括

据首尔经济日报报道，三星将打破HBM一站式全包制造的传统模式，首次采用竞争对手台积电的3nm工艺为英伟达生产下一代定制HBM（NVHBM，基于HBM4E架构）的基底裸片，核心裸片则统一采用1c第六代DRAM工艺。英伟达向三星、SK海力士、美光三家供应商同步提出标准化要求，以解决各家方案不一、性能难以一致的问题并降低验证成本。标准HBM和AMD等客户定制产品仍由三星全包生产，同时三星保留自产NVHBM基底裸片的预案，以防台积电产能不足。