SK 海力士拟在美新建 NAND 工厂，换取为中国工厂引进更多美国设备的机会

📋总体概括

路透社报道称，SK海力士正计划在美国新建NAND闪存工厂，并以大连Mod B厂区（2023年建成但因存储市场低迷未完成设备安装）为筹码，申请美国出口许可证，试图换取引入更多Lam Research、应用材料、科磊等美国厂商设备，以提升中国工厂产能，用中国产能利润反哺美国建厂。背景是AI与数据中心需求推高NAND价格、存储供应趋紧，同时美国政府力推SK海力士、三星赴美建厂，设备许可成为谈判筹码。