供应链🔥8.0
Intel 18A工艺就用了 台积电回应High NA EUV光刻机落后
📋总体概括
Intel已在18A工艺上率先使用ASML High NA EUV光刻机，进度领先其他厂商4-5年以上；而曾率先量产EUV的台积电态度保守，计划2030年才导入High NA，并与ASML合作在2031年前确立12英寸光罩标准。台积电在财报会上解释，推迟原因一是High NA单机价格约4亿美元、工艺成本高，二是视场缩小导致单次曝光芯片面积从约800mm2减半至400mm2左右，大芯片需拼接曝光，综合性价比暂不划算。
⚡关键信息
- ▸Intel在去年底量产的18A工艺上已采用High NA EUV，进度领先其他厂商4-5年以上
- ▸High NA EUV单台价格从Low NA的约2亿美元提升至4亿美元左右
- ▸台积电计划2030年才导入High NA EUV，并与ASML合作在2031年前确立12英寸光罩标准
- ▸High NA EUV因视场缩小，可生产芯片面积从约800mm2减半至400mm2左右
- ▸台积电曾是全球首个量产EUV工艺的代工厂，2018年7nm率先导入EUV
🔥犀利点评
台积电的保守不是落后，而是精明。High NA单机4亿美元、芯片面积减半，等于用两倍钱买一半画幅，Intel抢首发更多是营销叙事和给18A背书，真正的大规模量产账未必算得过来。台积电等到2030年技术成熟、成本回落再上车，用Low NA继续吃几代红利，这才是代工霸主该有的打法——先发的 prestige，后发的利润。
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