SK 海力士推出 3D FeNAND 技术，瞄准 AI 计算

📋总体概括

SK海力士公布3D FeNAND技术实现模拟存内计算的研究成果，相关论文已发表于IEEE。A-CiM可利用模拟信号直接在存储器内执行乘积累加运算，减少数据搬运、提升速度与能效。3D FeNAND以铁电材料的极化状态存储数据，取代传统3D NAND的电荷俘获氮化物结构，且铁电材料在外部电场消失后仍能保持极化。由于铁电单元可产生多种电流状态，适合存储AI计算所需的权重数据，SK海力士借此瞄准AI计算市场。