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GlobalFoundries发布7nm级FDX Fusion工艺——距其放弃FinFET已过去七年
原标题: GlobalFoundries发布7nm级FDX Fusion工艺——距其放弃FinFET已过去七年
📋总体概括
GlobalFoundries(格芯)宣布推出7nm级别的FDX Fusion工艺,重返先进FD-SOI技术开发领域。值得注意的是,该公司早在约七年前(2018年)就已宣布放弃7nm及以下FinFET工艺的研发,转向特色工艺路线。此次新工艺计划于2028年量产,意味着格芯并未彻底放弃先进制程,而是选择以FD-SOI技术路线差异化切入,瞄准低功耗、射频与嵌入式应用等特定市场。
⚡关键信息
- ▸GlobalFoundries发布7nm级别的FDX Fusion工艺,重返先进FD-SOI技术开发
- ▸此举距离该公司2018年放弃FinFET先进制程已约七年
- ▸FDX Fusion工艺计划于2028年实现量产
- ▸格芯此前专注于成熟及特色工艺,此次是差异化重返先进节点
- ▸FD-SOI路线瞄准低功耗、射频等特定应用市场
🔥犀利点评
七年前格芯挥手告别先进制程,如今又以FDX Fusion杀了个回马枪——但这不是认输,而是精明的错位竞争。在台积电、三星卷3nm、2nm的血海里,格芯根本挤不进去;而FD-SOI在低功耗、射频和边缘AI市场仍有独特价值。2028年量产的时间点也暴露了现实:这不是追赶摩尔定律,而是圈住汽车、IoT等利基地盘。避开正面战场打侧翼,格芯的选择清醒但上限也明显。
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