1个原子厚的二维半导体！生长400次只失败3次

📋总体概括

韩国科学技术院与初创公司TDS Innovation在《自然》发表论文，提出名为刻蚀通量介导的单一中心成核（EF-SCN）的二维半导体生长方法。二维半导体如二硫化钼只有一个原子厚、带带隙，被视为接替硅的候选材料，但晶体随机成核导致晶界拉低性能、良率差。EF-SCN通过氧化物阻挡层释放氧气横向扩散，压制边缘成核，迫使晶体只在区域中心生长，400次生长仅失败3次，制成的场效应晶体管迁移率超过此前选择性生长的报告水平。