消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

📋总体概括

据韩媒ZDNET Korea报道，三星电子在已公布的zNAND-O之外，正开发两款面向AI负载优化的NAND闪存：zNAND-T主打吞吐量，对标闪迪与SK海力士的HBF概念，采用TSV堆叠NAND Die为数据中心AI优化读写带宽；zNAND-I则强化IOPS随机性能，适配KV Cache卸载等少量数据频繁读写场景。三种zNAND按负载分工，标志着NAND闪存从通用型产品转向AI时代定制化路线。