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DUV光刻机榨到极限！长鑫G6内存面积再缩30%：键合工艺首次登场
📋总体概括
据快科技报道，长鑫科技下一代DRAM平台G6技术指标流出：在无EUV光刻机条件下继续榨干193nm DUV浸没式光刻，结合SAQP/SADP多重图案化，预计2028年推出。单元面积将从G5的0.00128205平方微米缩至0.000896平方微米，缩减30%；WL/BL/AA间距分别降至28nm、32nm、20nm。G6首次引入键合工艺，成为最大技术变量，标志着国产存储在封锁下用工程手段逼近DUV物理极限。
⚡关键信息
- ▸长鑫G6代DRAM预计最快2028年推出，仍采用193nm DUV浸没式光刻，未用EUV
- ▸单元面积从G5的0.00128205平方微米缩至0.000896平方微米，缩减约30%
- ▸WL间距从33.3纳米降至28纳米，BL从38.5纳米降至32纳米，AA从23.9纳米降至20纳米
- ▸通过SAQP自对准四重图案化结合SADP实现微缩，光刻胶方案升级至193i LE4或X-SADP
- ▸键合工艺首次引入G6方案，被视为最关键的技术变量
🔥犀利点评
没有EUV就靠DUV加多重图案化硬磨，长鑫这30%的面积微缩是拿良率、成本和工程复杂度堆出来的——SAQP层数越多，缺陷控制越难，产能越烧钱。但方向没错：封锁之下先把DUV榨到极限，同时用键合工艺换一个摩尔定律之外的赛道。这本质是把ASML不给的东西用人力补上，2028年量产若兑现，就是国产DRAM真正摸到国际第一梯队的门票。
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