长鑫技术新突破，融合 4F² 架构等先进技术的 DDR5 RDIMM 产品预计年底亮相

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长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上披露，公司4F² DRAM架构研发取得关键进展，公开专利族超300件，数量领先海内外厂商，并官宣年底将推出融合4F²架构、混合键合等技术的新一代DDR5 RDIMM产品。当前行业主流DRAM单元为6F²架构，4F²意味着存储单元面积从6倍缩减至4倍最小特征尺寸平方，可实现存储密度提升，但需重建全新器件与工艺体系。长鑫将首代产品定位服务器内存DDR5 RDIMM，直接切入技术壁垒最高的赛道。