供应链🔥8.0
国产DRAM重大突破!长鑫4F架构产品年底亮相:剑指服务器内存
📋总体概括
在第四届集成芯片和芯粒大会上,长鑫存储总裁曹堪宇宣布,预计年底推出融合4F²架构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM服务器内存产品。4F²是DRAM下一代技术方向,相较主流6F²架构,同面积存储密度可提升30%至50%,其本质是晶体管从水平向垂直布局的工艺变革。长鑫自成立即布局4F²,公开专利族超300件,数量领先海内外厂商,并自研VSG垂直环绕晶体管,技术积累已具备与国际巨头同台竞技的实力。
⚡关键信息
- ▸长鑫存储总裁曹堪宇在芯粒大会上宣布,年底将推出融合4F²架构与混合键合技术的DDR5 RDIMM产品
- ▸4F²架构相较行业主流6F²架构,同面积存储密度可提升30%至50%,是DRAM公认的下一代技术方向
- ▸长鑫公开4F²相关专利族超300件,数量领先海内外厂商,2021年发布大陆首篇相关论文
- ▸从6F²到4F²需要晶体管从水平向垂直布局的根本变革,长鑫自研VSG垂直晶体管是核心突破
🔥犀利点评
长鑫这步棋野心不小:避开消费级红海,直接用4F²加RDIMM捅向三星、SK海力士利润最肥的服务器内存腹地。300多件专利族说明不是临时抱佛脚,是十年棋局的收官。但纸面专利到量产良率隔着天堑,年底亮相只是开场哨,真正考验是能否在HBM时代来临前把成本和良率跑通。方向对了,生死看执行。
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