氮化镓FET直面兆瓦级供电需求

📋总体概括

瑞萨电子宣布送样业界首款面向800V高压直流AI数据中心、具备双面散热结构的650V氮化镓场效应管。随着AI机柜功耗迈向兆瓦级，传统硅器件与单面散热方案难以满足功率密度需求，双面冷却GaN通过降低热阻提升电流承载能力，切入数据中心电源这一高速增长市场，标志着GaN从消费快充向大功率工业级应用的关键跃迁。